Przełom w pamięciach flash

Firmy Toshiba i SanDisk opracowały 8-Gbitowy układ pamięci flash NAND

Urządzenie umożliwia wyprodukowanie modułu flash o pojemności 1GB, składającego się tylko z jednej kości.

Nowość produkowana jest w technologii 70-nanometrów. Rozwiązanie wykorzystuje technologię wielopoziomowości komórki pamięci, dzięki czemu w pojedynczej komórce mogą być przechowywane dwa bity informacji. To pozwoliło na zdublowanie aktualnie dostępnej maksymalnej pojemności układu pamięci flash. Zastosowanie zaawansowanego projektowania układu elektronicznego sprawiło, że 8Gb kość ma zaledwie o 5% większe rozmiary zewnętrzne, niż poprzednia generacja układów o pojemności 4Gb, wytwarzanych w technologii 90 nanometrów. Nowy chip pamięci flash kryje w sobie trzy miliardy tranzystorów na jednym centymetrze kwadratowym.

Niższe koszty produkcji oraz odpowiednio dostosowana architektura umożliwiają połączenie dwóch układów w jeden moduł flash o łącznej pojemności 2GB. Firma Sandisk ma w planach już niedługo wprowadzić do swojej oferty właśnie takie produkty. Będą one w stanie nagrywać dane z prędkością 6MBps i odczytywać dane z prędkością 60MBps.

Źródło informacji: Vnunet